Disque dur Samsung MZ-QL21T900 1
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Nouveau

Disque dur Samsung MZ-QL21T900 1,92 TB SSD

Si vous êtes passionné d'informatique et d'électronique, si vous êtes à la pointe de la technologie et qu'aucun détail ne vous échappe, achetez Disque dur Samsung MZ-QL21T900 1,92 TB SSD au meilleur prix.

  • Tension: 12 V
  • Compatible:
    • SSD NVMe
    • PC
    • NVMe 1.4
  • Sécurité: AES 256-bits
  • Taille: 2,5"
  • Plage de températures de travail: 0º / 70º
  • Connexions: PCI Express 4.0
  • Disque dur: 1,92 TB SSD
458,99 €
TTC Livraison sous 15 jours
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sur cet article

Description

Les points forts de ce produit

Disque dur Samsung MZ-QL21T900 1,92 TB SSD

  • Si vous êtes passionné d'informatique et d'électronique, si vous êtes à la pointe de la technologie et qu'aucun détail ne vous échappe, achetez Disque dur Samsung MZ-QL21T900 1,92 TB SSD au meilleur prix.

    • Tension: 12 V
    • Compatible:
      • SSD NVMe
      • PC
      • NVMe 1.4
    • Sécurité: AES 256-bits
    • Taille: 2,5"
    • Plage de températures de travail: 0º / 70º
    • Connexions: PCI Express 4.0
    • Disque dur: 1,92 TB SSD

Caractéristiques principales

Marque 8806094267150
Dimensions Lxlxh 0.08 Kg

Ce produit bénéficie de la garantie Isleden (voir conditions dans la rubrique Service Après-Vente)

Livraison chez vous tout compris

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Caractéristiques

M0306949
13.38 cm
6.95 cm
14.05 cm
0.08 kg
10 Produits
Caractéristiques
Oui
Le chiffrement matériel
NVMe
Protection des données de bout en bout
Support S.M.A.R.T.
Support TRIM
100,2 mm
Largeur
90 g
Poids
3,5 W
Consommation (max)
12,5 W
Consommation électrique (Ecriture)
69,8 mm
Profondeur
PCI Express 4.0
Interface
6800 Mo/s
Vitesse de lecture
Vitesse de lecture séquentielle (AS SSD)
1,92 To
Capacité du Solid State Drive (SSD)
0 - 70 °C
Température d'opération
2700 Mo/s
Vitesse d'écriture
Vitesse d'écriture séquentielle (AS SSD)
1500 G
Choc durant le fonctionnement
12 V
Tension de fonctionnement
130000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
850000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB)
256-bit AES
Algorithme de sécurité soutenu
6,8 mm
Hauteur
V-NAND TLC
Type de mémoire
2000000 h
Temps moyen entre pannes
PC
composant pour
x4
Flux de données d'interface PCI Express
10 W
Consommation électrique (Lecture)
1.4
Version NVMe
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